项目名称：
第三代半导体材料及应用联合创新基地
产业化公司名称：
北京国联万众半导体科技有限公司

出资主体：

北京首都科技发展集团有限公司

项目简介

公司定位为第三代半导体材料及应用联合创新基地的建设及运营主体单位，基地将建成包括第三代半导体工艺平台、封装测试平台、检测及可靠性平台、服务平台等四大基础平台，成为国内第一、国际一流的第三代半导体公共服务平台。平台将采取开放联合、共享合作的方式，为第三代半导体材料及应用联合创新基地提供研发支撑和条件保证；吸引国内外第三代半导体研发、设计、封装、模块、应用及金融、服务等企业入驻园区，形成产业创新体系和可持续发展的生态环境，从战略高度，全面、深入整合和利用国际资源；培育和打造第三代半导体龙头企业，促进产学研用合作以及跨界应用的开放协同创新，实现创新驱动发展，为北京发展第三代半导体新兴产业起到引领和带动作用。
 

MOSFET器件

项目亮点

·2016年3月，获得了中关村科技园区管理委员会授予的“中关村国家自主创新示范区特色产业孵化平台”称号；

·2017年11月，获得科技部授予的“国家级众创空间称号，

·2018年10月31日，获得高新企业证书。